火工品

作者：党鹏阳

单位：陕西应用物理化学研究所

关键词：Al/MoO3复合薄膜;调制周期;活化能;发火感度

采用磁控溅射技术制备总厚度为6μm，调制周期分别为134nm/166nm和22nm/28nm的Al/MoO3复合薄膜，并将其与半导体桥（SCB）整合形成含能半导体桥（ESCB）发火器件，研究了Al/MoO3含能薄膜及SCB-Al/MoO3含能半导体桥的性能。DSC分析表明，调制周期为22nm/28nm的薄膜只有1个放热峰，其活化能为245kJ/mol；调制周期为134nm/166nm的薄膜有3个放热峰，最大放热峰的活化能为200kJ/mol。22nm/28nm的含能薄膜燃速为5.34m/s；134nm/166nm的含能薄膜燃速为1.79m/s。随着调制周期的增加， SCB-Al/MoO3的临界发火时间变长，调制周期对临界发火能量、作用总时间、作用总能量无影响，SCB-Al/MoO3（22nm/28nm）的电压发火感度高于SCB-Al/MoO3（134nm/ 166nm）。

来源：2019年第6期

《火工品》期刊编辑部

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