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国内刊号：61-1179/TJ
国际刊号：1003-1480
发布日期:
作者：贺 翔
单位：北京理工大学
关键词：半导体桥;电爆;后期放电;发火电容;发火电压;掺杂浓度;点火药剂
为了获得微尺寸半导体桥电容发火的特征参数与设计参数的关系，对20μm×50μm×4μm 60°的半导体桥进行了不同掺杂浓度、发火电容、发火电压及两种点火药剂下的发火试验，获得设计参数与半导体桥的特征能量、特征时间的关系。结果表明：半导体桥的发火电容值从10μF增大到68μF时，高掺杂的半导体桥/斯蒂芬酸铅的最小全发火电压为6.23~4.28V，比低掺杂的半导体桥降低了0.86~1.52V；半导体桥发生电爆所需的电能随着掺杂浓度的提高而减小，但与电压值、电容值、药剂种类无关；发生电爆所需的时间随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而缩短；等离子体加热时间和能量随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而增大。
来源：2023年第2期
《火工品》期刊编辑部
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