火工品

作者：顾伯南

单位：南京理工大学

关键词：半导体桥;TCAD;芯片设计;电学仿真

基金：国家自然科学基金（No.22205112，No.22275091）。

为了提升半导体桥（SCB）芯片设计开发效率，厘清其电击穿作用机制，采用TCAD（Technology Computer Aided Design，计算机辅助设计）工具，开展多晶硅材料掺杂工艺、芯片结构设计以及芯片电击穿过程模拟仿真，探究注入能量与掺杂类型、退火时间与温度等工艺参数，以及强电场条件对载流子分布及性能的影响规律，厘清芯片电击穿的物理机制。仿真结果表明：相比于磷离子注入，砷离子注入能够在更靠近多晶硅层表面的区域，形成更高浓度的载流子分布；快速热退火时间设定为30min，退火温度设定为约600℃，能够有效实现载流子活化；芯片双“V”型尖端电场强度达到3×105V·cm-1时发生电击穿过程，载流子剧烈碰撞离化，桥区总电流密度最高可达1.16×109A·cm-2。

来源：2023年第6期

《火工品》期刊编辑部

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