国内刊号:61-1179/TJ
国际刊号:1003-1480
发布日期:
作者:牛惠媛
单位:陕西应用物理化学研究所
关键词:半导体桥;连续电磁波;核电磁脉冲;TVS二极管
基金:国防科技重点实验室基金(No.6142603032107)
为了研究半导体桥(SCB)火工品在连续电磁波、核电磁脉冲环境下的响应特性及防护技术,采用COMSOL仿真软件建立了SCB组件仿真模型,分别研究了并联瞬态电压抑制(TVS)二极管前后SCB组件在连续电磁波、核电磁脉冲照射状态下的感应电流和桥区温度的变化。结果表明:场强为1 200 V·m-1、频率为1.15 GHz的连续电磁波以及上升时间为5 ns、半高宽为24 ns、幅值为10 kV·m-1的核电磁脉冲照射,均可能使SCB桥区温度高于常用起爆药的作用温度,从而导致SCB火工品意外发火;并联TVS二极管对连续电磁波、核电磁脉冲均起到较好的防护效果,其中连续电磁波照射下SCB的感应电流峰值衰减率大于64.79 %,核电磁脉冲照射下SCB桥区最高温度衰减率为54.34 %。
来源:2024年第1期
《火工品》期刊编辑部